封装/外壳:
供应商器件封装:
功率 - 最大值:
漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
FET 功能:
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
APTM50DDAM65T3G Microchip Technology
MOSFET 2N-CH 500V 51...
1 2,000 加入询价
APTC60DDAM70T3G Microsemi
MOSFET 2N-CH 600V 39...
1 2,000 加入询价
APTC60DSKM70T3G Microsemi
MOSFET 2N-CH 600V 39...
1 2,000 加入询价
APTM50DSKM65T3G Microsemi
MOSFET 2N-CH 500V 51...
1 2,000 加入询价
APTC60DDAM70CT1G Microsemi
MOSFET 2N-CH 600V 39...
1 2,000 加入询价
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