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晶体管
FET,MOSFET
FET、MOSFET 阵列
封装/外壳:
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
(1)
SOT-563,SOT-666
(1)
供应商器件封装:
6-TSSOP
(1)
SOT-666
(1)
功率 - 最大值:
280mW
(1)
500mW
(1)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
725mA,500mA
(1)
800mA,550mA
(1)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
1.3V @ 250µA
(1)
950mV @ 250µA
(1)
已选条件:
FET、MOSFET 阵列
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) : 83pF @ 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) : 380 毫欧 @ 500mA,4.5V
配置 : N 和 P 沟道
2 条记录
图片
型号
品牌
描述
起订量
库存
操作
PMGD290UCEAX
Nexperia
MOSFET N/P-CH 20V 6...
1
2,000
加入询价
PMDT290UCE,115
Nexperia
MOSFET N/P-CH 20V S...
1
6,805
加入询价
PMGD290UCEAX
Nexperia
-
库存 : 2,000
询价
PMDT290UCE,115
Nexperia
-
库存 : 6,805
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