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- 安装类型：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 配置：
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- 功率 - 最大值：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
-
424 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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ROHM Semiconductor | MOSFET 2N-CH 1200V 1... |
1 | 25 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | 1200V, 576A, HALF BRI... |
1 | 4 | 加入询价 | |
|
|
Advanced Linear Devices, Inc. | MOSFET N/P-CH 10.6V... |
1 | 36 | 加入询价 | |
|
|
Advanced Linear Devices, Inc. | MOSFET 4 P-CH 8V 16D... |
1 | 100 | 加入询价 | |
|
|
ROHM Semiconductor | 1200V, 204A, HALF BRI... |
1 | 14 | 加入询价 | |
|
|
Advanced Linear Devices, Inc. | MOSFET 2N-CH 10.6V 8... |
1 | 50 | 加入询价 | |
|
|
Advanced Linear Devices, Inc. | MOSFET 2P-CH 10.6V 8... |
1 | 32 | 加入询价 | |
|
|
Advanced Linear Devices, Inc. | MOSFET 2P-CH 10.6V 8... |
1 | 57 | 加入询价 | |
|
|
Advanced Linear Devices, Inc. | MOSFET 4 P-CH 8V 16S... |
1 | 88 | 加入询价 | |
|
|
Advanced Linear Devices, Inc. | MOSFET 2N-CH 10.6V 8... |
1 | 46 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | 1200V, 134A, CHOPPER,... |
1 | 7 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET 2N-CH 1200V 1... |
1 | 2 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | SIC POWER MODULE |
1 | 3 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | 1200V, 358A, HALF BRI... |
1 | 4 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | SILICON CARBIDE ... |
1 | 6 | 加入询价 | |
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|
Advanced Linear Devices, Inc. | MOSFET 2N-CH 10.6V 8... |
1 | 36 | 加入询价 | |
|
|
Advanced Linear Devices, Inc. | MOSFET 2N-CH 10.6V 8... |
1 | 50 | 加入询价 | |
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Littelfuse | POWER MOSFET |
1 | 13 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | PM-MOSFET-FREDFE... |
1 | 3 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | LOW POWER EASY |
1 | 24 | 加入询价 |
