封装/外壳:
功率 - 最大值:
漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
UT6JA2TCR ROHM Semiconductor
-30V PCH+PCH MIDDL...
1 2,000 加入询价
DMN10H220LDV-13 Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 61V~...
1 2,000 加入询价
DMN10H220LDV-7 Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 61V~...
1 2,000 加入询价
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