封装/外壳:
供应商器件封装:
功率 - 最大值:
漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
BSC0910NDIATMA1 Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 25V 16A...
1 4,900 加入询价
STL60N32N3LL STMicroelectronics
MOSFET 2N-CH 30V 32A...
1 2,000 加入询价
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