- 品牌:
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- 供应商器件封装:
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- 功率 - 最大值:
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
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- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
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图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET 2N-CH 30V 4A... |
1 | 207,703 | 加入询价 | ||
ROHM Semiconductor | 30V NCH+NCH MIDDLE... |
1 | 14,841 | 加入询价 | ||
Taiwan Semiconductor | MOSFET 2 N-CH 30V 20... |
1 | 15,000 | 加入询价 | ||
ROHM Semiconductor | 30V NCH+NCH MIDDLE... |
1 | 2,995 | 加入询价 |