- 品牌：
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- Diodes Incorporated (10)
- PANJIT (1)
- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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15 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Texas Instruments | MOSFET 2 N-CHANNE... |
1 | 1,830 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 0.4... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Texas Instruments | MOSFET 2N-CH 30V 20A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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PANJIT | 30V N-CHANNEL ENHA... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V-... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V-... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V-... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V-... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Texas Instruments | MOSFET 2N-CH 30V 20A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 0.4... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Central Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 3.6... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
