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晶体管
FET,MOSFET
FET、MOSFET 阵列
功率 - 最大值:
265mW
(1)
285mW(Ta)
(1)
380mW
(1)
漏源电压(Vdss):
20V
(2)
30V
(1)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
590mA(Ta),410mA(Ta)
(1)
600mA
(1)
600mA,500mA
(1)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
620 毫欧 @ 600mA,4.5V
(2)
670 毫欧 @ 590mA,4.5V,1.4 欧姆 @ 410mA,4.5V
(1)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
0.7nC @ 4.5V
(2)
1.05nC @ 4.5V,1.2nC @ 4.5V
(1)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
21.3pF @ 10V
(2)
30.3pF @ 15V,43.2pF @ 15V
(1)
FET 功能:
-
(2)
逻辑电平门
(1)
已选条件:
FET、MOSFET 阵列
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) : 950mV @ 250µA
配置 : N 和 P 沟道互补型
供应商器件封装 : DFN1010B-6
3 条记录
图片
型号
品牌
描述
起订量
库存
操作
PMCXB900UEZ
Nexperia
MOSFET N/P-CH 20V 6...
1
194,510
加入询价
PMCXB900UELZ
Nexperia
20 V, COMPLEMENTAR...
1
12,050
加入询价
PMCXB1000UEZ
Nexperia
MOSFET N/P-CH 30V D...
1
95
加入询价
PMCXB900UEZ
Nexperia
-
库存 : 194,510
询价
PMCXB900UELZ
Nexperia
-
库存 : 12,050
询价
PMCXB1000UEZ
Nexperia
-
库存 : 95
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