- 封装/外壳:
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- 供应商器件封装:
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- 功率 - 最大值:
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
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图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Diodes Incorporated | MOSFET 2P-CH 20V 4.6... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 5.2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 9A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 41V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V-... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 41V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V-... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 8V~2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 7.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 10A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Diodes Incorporated | MOSFET 8V~24V U-WLB... |
1 | 2,000 | 加入询价 |