- 品牌：
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- Nexperia (2)
- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 功率 - 最大值：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 6.2... |
1 | 133,036 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 8A... |
1 | 47,500 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 6.2... |
1 | 55,622 | 加入询价 | |
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Texas Instruments | MOSFET 2N-CH 30V 5A... |
1 | 41,233 | 加入询价 | |
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Texas Instruments | MOSFET 2N-CH 30V 5A... |
1 | 61,310 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | DUAL N-CHANNEL 30 ... |
1 | 3,100 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | DUAL N-CHANNEL 30 ... |
1 | 5,957 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 5.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 6.2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET 2NCH 30V 6.2A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 7.3... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 4.6... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 4.6... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 4.6... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Nexperia | MOSFET 2N-CH 30V 10.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 4.6... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Nexperia | MOSFET 2N-CH 30V 10.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 20A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
