供应商器件封装:
功率 - 最大值:
漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
FET 功能:
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
SSM6L61NU,LF Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
MOSFET N/P-CH 20V 4...
1 178 加入询价
FDMB2307NZ ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 6MLP
1 2,000 加入询价
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