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晶体管
FET,MOSFET
FET、MOSFET 阵列
功率 - 最大值:
300mW(Ta)
(1)
350mW(Ta)
(1)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
500mA(Ta)
(1)
800mA(Ta)
(1)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
1V @ 250µA
(1)
900mV @ 250µA
(1)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
0.92nC @ 4.5V
(1)
1.4nC @ 4.5V
(1)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
50pF @ 10V
(1)
67pF @ 10V
(1)
FET 功能:
-
(1)
逻辑电平栅极,1.2V 驱动
(1)
已选条件:
FET、MOSFET 阵列
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) : 400 毫欧 @ 500mA,4.5V
封装/外壳 : SOT-563,SOT-666
2 条记录
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型号
品牌
描述
起订量
库存
操作
PJX8808_R1_00001
PANJIT
20V N-CHANNEL ENHA...
1
8,000
加入询价
PJX8806_R1_00001
PANJIT
20V N-CHANNEL ENHA...
1
9,145
加入询价
PJX8808_R1_00001
PANJIT
-
库存 : 8,000
询价
PJX8806_R1_00001
PANJIT
-
库存 : 9,145
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