供应商器件封装:
功率 - 最大值:
漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
DMN3024LSD-13 Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 30V 6.8...
1 118,607 加入询价
ZXMN3F31DN8TA Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 30V 5.7...
1 5,498 加入询价
ZXMC3F31DN8TA Diodes Incorporated
MOSFET N/P-CH 30V 6...
1 2,000 加入询价
FDS8960C ON Semiconductor
MOSFET N/P-CH 35V 7...
1 2,000 加入询价
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