- 供应商器件封装：
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- 功率 - 最大值：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | SMALL-SIGNAL MOS... |
1 | 9,706 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | SMALL SIGNAL MOS... |
1 | 13,033 | 加入询价 | |
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PANJIT | 20V N-CHANNEL ENHA... |
1 | 9,145 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V-... |
1 | 190 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | SMOS LOW RON DUAL... |
1 | 1,255 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V-... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 8V~2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 8V~2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Nexperia | PMDT290UNE/SOT666/S... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Nexperia | PMDT290UNE/SOT666/S... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N/P-CH 20V 8... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
