- 品牌:
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- Microsemi (6)
- 封装/外壳:
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- 供应商器件封装:
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- 配置:
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
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- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
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- FET 功能:
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13 条记录
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Texas Instruments | MOSFET 2N-CH 20V 39A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Microchip Technology | MOSFET 2N-CH 600V 39... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Microchip Technology | MOSFET 4N-CH 600V 39... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Microchip Technology | MOSFET 4N-CH 600V 39... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Microchip Technology | MOSFET 4N-CH 600V 39... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Microchip Technology | MOSFET 4N-CH 600V 39... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Microchip Technology | MOSFET 4N-CH 600V 39... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Microsemi | MOSFET 2N-CH 600V 39... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Microsemi | MOSFET 2N-CH 600V 39... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Microsemi | MOSFET 2N-CH 600V 39... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Microsemi | MOSFET 2N-CH 600V 39... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Microsemi | MOSFET 2N-CH 600V 39... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Microsemi | MOSFET 2N-CH 600V 39... |
1 | 2,000 | 加入询价 |