- 功率 - 最大值:
-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
-
- FET 功能:
-
6 条记录
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET 2N-CH 30V 0.1... |
1 | 42,262 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | SMALL SIGNAL MOS... |
1 | 4,647 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | SMALL SIGNAL MOS... |
1 | 20 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N/P-CH 30V 0... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | X34 PB-F SOT-363 S-MO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET 2N-CH 30V 0.1... |
1 | 2,000 | 加入询价 |