封装/外壳:
供应商器件封装:
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
CSD83325LT Texas Instruments
MOSFET 2N-CH 12V 6P...
1 2,066 加入询价
DMC1015UPD-13 Diodes Incorporated
MOSFET 8V 24V POWE...
1 2,000 加入询价
CSD83325L Texas Instruments
MOSFET 2N-CH 12V 6P...
1 2 加入询价
DMC1017UPD-13 Diodes Incorporated
MOSFET N/P-CH 12V 9...
1 5 加入询价
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