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晶体管
FET,MOSFET
FET、MOSFET 阵列
配置:
2 N 沟道(双)非对称型
(1)
2 N-通道(双)
(1)
功率 - 最大值:
390W
(1)
480W
(1)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
104A
(1)
109A(Tc)
(1)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
19 毫欧 @ 50A,10V
(1)
19 毫欧 @ 52A,10V
(1)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
4V @ 2.5mA
(1)
5V @ 2.5mA
(1)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
-
(1)
140nC @ 10V
(1)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
7220pF @ 25V
(1)
9880pF @ 25V
(1)
已选条件:
FET、MOSFET 阵列
漏源电压(Vdss) : 200V
封装/外壳 : SP3
2 条记录
图片
型号
品牌
描述
起订量
库存
操作
APTM20DHM16T3G
Microsemi
MOSFET 2N-CH 200V 10...
1
2,000
加入询价
APTML202UM18R010T3AG
Microsemi
MOSFET 2N-CH 200V 10...
1
2,000
加入询价
APTM20DHM16T3G
Microsemi
-
库存 : 2,000
询价
APTML202UM18R010T3AG
Microsemi
-
库存 : 2,000
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