功率 - 最大值:
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
IPG20N10S4L22AATMA1 Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 100V 20...
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IPG20N10S4L35AATMA1 Infineon Technologies
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1 2,000 加入询价
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