- 封装/外壳：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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9 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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EPC | TRANS GAN DUAL 100... |
1 | 9,772 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | COMBO N- & P-CHANN... |
1 | 27 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N/P-CH 100V ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microsemi | MOSFET 2N-CH 100V 15... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microsemi | MOSFET 4P-CH 100V 0.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microsemi | MOSFET 4P-CH 100V 0.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microsemi | MOSFET 4P-CH 100V 0.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microsemi | MOSFET 4P-CH 100V 0.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Sanken Electric Co., Ltd. | MOSFET 4N-CH 100V 10... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
