- 品牌：
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- 安装类型：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 功率 - 最大值：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Vishay / Siliconix | MOSFET 2 N-CH 100V P... |
1 | 4,245 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | NP100V, 3A,RD<130M@10V... |
1 | 4,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-100V,ESD,-3.5A,RD(M... |
1 | 4,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | DUAL N-CHANNEL 100... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N/P-CH 100V ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET 2 N-CH 100V P... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET 2 N-CH 100V P... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET 2 N-CH 100V P... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | N- AND P-CHANNEL 1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | DUAL N-CHANNEL 100... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 61V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 61V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 61V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 61V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 61V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 61V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 61V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 61V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | COMBO N- & P-CHANN... |
1 | 27 | 加入询价 | |
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Micro Commercial Components (MCC) | MCQ3779-TP |
1 | 2,000 | 加入询价 |
