供应商器件封装:
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
G1K2C10S2 Goford Semiconductor
NP100V, 3A,RD<130M@10V...
1 4,000 加入询价
G450N10D52 Goford Semiconductor
N100V, 35A,RD<45M@10V,V...
1 5,000 加入询价
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