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FET、MOSFET 阵列
封装/外壳:
SP1
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SP4
(1)
供应商器件封装:
SP1
(3)
SP2
(1)
SP4
(1)
配置:
2 N 沟道(双路降压斩波器)
(2)
4 N 沟道(半桥)
(3)
已选条件:
FET、MOSFET 阵列
漏源电压(Vdss) : 900V
功率 - 最大值 : 250W
5 条记录
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型号
品牌
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库存
操作
APTC90DDA12T1G
Microsemi
MOSFET 2N-CH 900V 30...
1
2,000
加入询价
APTC90DSK12T1G
Microsemi
MOSFET 2N-CH 900V 30...
1
2,000
加入询价
APTC90H12T2G
Microsemi
MOSFET 4N-CH 900V 30...
1
2,000
加入询价
APTC90H12T1G
Microsemi
MOSFET 4N-CH 900V 30...
1
2,000
加入询价
APTC90H12SCTG
Microsemi
MOSFET 4N-CH 900V 30...
1
2,000
加入询价
APTC90DDA12T1G
Microsemi
-
库存 : 2,000
询价
APTC90DSK12T1G
Microsemi
-
库存 : 2,000
询价
APTC90H12T2G
Microsemi
-
库存 : 2,000
询价
APTC90H12T1G
Microsemi
-
库存 : 2,000
询价
APTC90H12SCTG
Microsemi
-
库存 : 2,000
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