- 供应商器件封装：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET 2 N-CHANNE... |
1 | 57,536 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET 2N-CH 20V 0.8... |
1 | 6,584 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | SMALL SIGNAL MOS... |
1 | 3,064 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET 2N-CH 20V 0.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET 2N-CH 20V 4A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET 2N-CH 20V 2.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
