漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
FET 功能:
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
DMN61D9UDW-7 Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 60V 0.3...
1 2,000 加入询价
2N7002DWS-7 Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 41V-...
1 2,000 加入询价
DMN5L06DWK-7-01 Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 41V-...
1 2,000 加入询价
DMN5L06DWK-7-79 Diodes Incorporated
DIODE
1 2,000 加入询价
DMN61D9UDW-13 Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 60V 0.3...
1 2,000 加入询价
DMN61D9UDW-13-50 Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 41V~...
1 2,000 加入询价
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