- 品牌:
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- 工作温度:
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- 封装/外壳:
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- 供应商器件封装:
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- 配置:
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- 功率 - 最大值:
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- 漏源电压(Vdss):
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
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- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
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471 条记录
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Wolfspeed | MOSFET 2N-CH 1700V 3... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Wolfspeed | 1200 V, 400 A HALF-BRI... |
1 | 19 | 加入询价 | ||
Microchip Technology | MOSFET 2N-CH 500V 90... |
1 | 6 | 加入询价 | ||
Microchip Technology | PM-MOSFET-OTHER-S... |
1 | 11 | 加入询价 | ||
Microchip Technology | PM-MOSFET-SIC-SBD... |
1 | 3 | 加入询价 | ||
ROHM Semiconductor | 1200V, 134A, CHOPPER,... |
1 | 7 | 加入询价 | ||
Microchip Technology | PM-MOSFET-SIC-SBD... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Microchip Technology | PM-MOSFET-SIC-SBD... |
1 | 9 | 加入询价 | ||
Microchip Technology | PM-MOSFET-SIC-SBD... |
1 | 5 | 加入询价 | ||
Wolfspeed | 450A 1200V SIC HALF-B... |
1 | 7 | 加入询价 | ||
Microchip Technology | PM-MOSFET-SIC-SBD... |
1 | 3 | 加入询价 | ||
ROHM Semiconductor | 1200V, 358A, HALF BRI... |
1 | 4 | 加入询价 | ||
ROHM Semiconductor | SILICON CARBIDE ... |
1 | 6 | 加入询价 | ||
Microchip Technology | PM-MOSFET-FREDFE... |
1 | 3 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | LOW POWER EASY |
1 | 24 | 加入询价 | ||
Microchip Technology | PM-MOSFET-SIC-SBD... |
1 | 6 | 加入询价 | ||
Microchip Technology | PM-MOSFET-SIC-SP3... |
1 | 5 | 加入询价 | ||
Microchip Technology | PM-MOSFET-SIC-SBD... |
1 | 5 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | LOW POWER EASY AG... |
1 | 6 | 加入询价 | ||
ON Semiconductor | SIC MODULES, VIEN... |
1 | 20 | 加入询价 |