- 品牌：
-
- ON Semiconductor (1)
- 安装类型：
-
- 封装/外壳：
-
- 供应商器件封装：
-
- 配置：
-
- 漏源电压（Vdss）：
-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
-
83 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
Advanced Linear Devices, Inc. | MOSFET 2N-CH 10.6V 8... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Advanced Linear Devices, Inc. | MOSFET 4N-CH 10.6V 1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Advanced Linear Devices, Inc. | MOSFET 2N-CH 10.6V 8... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Advanced Linear Devices, Inc. | MOSFET 2N-CH 10.6V 8... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Advanced Linear Devices, Inc. | MOSFET 2N/2P-CH 10.6... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Advanced Linear Devices, Inc. | MOSFET 4N-CH 10.6V 1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Advanced Linear Devices, Inc. | MOSFET 2N-CH 10.6V 8... |
1 | 14 | 加入询价 | |
|
|
Advanced Linear Devices, Inc. | MOSFET 2P-CH 10.6V 8... |
1 | 6 | 加入询价 | |
|
|
Advanced Linear Devices, Inc. | MOSFET 4N-CH 10.6V 1... |
1 | 16 | 加入询价 | |
|
|
Advanced Linear Devices, Inc. | MOSFET 4N-CH 10.6V 1... |
1 | 12 | 加入询价 | |
|
|
Advanced Linear Devices, Inc. | MOSFET 2N-CH 10.6V 8... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Advanced Linear Devices, Inc. | MOSFET 2N-CH 10.6V 8... |
1 | 22 | 加入询价 | |
|
|
Advanced Linear Devices, Inc. | MOSFET 2P-CH 10.6V 8... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET 2 N-CHANNE... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Advanced Linear Devices, Inc. | MOSFET N/P-CH 10.6V... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Advanced Linear Devices, Inc. | MOSFET 2N-CH 10.6V 8... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Advanced Linear Devices, Inc. | MOSFET 4N-CH 10.6V 1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Advanced Linear Devices, Inc. | MOSFET 2N-CH 10.6V 8... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Advanced Linear Devices, Inc. | MOSFET 2N-CH 10.6V 8... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Advanced Linear Devices, Inc. | MOSFET 4N-CH 10.6V 1... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
