漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
APTC60AM45T1G Microchip Technology
MOSFET 2N-CH 600V 49...
1 2,000 加入询价
APTC60AM70T1G Microsemi
MOSFET 2N-CH 600V 39...
1 2,000 加入询价
APTMC120AM55CT1AG Microchip Technology
MOSFET 2N-CH 1200V 5...
1 2,000 加入询价
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