- 品牌：
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- 封装/外壳：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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16 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V/2... |
1 | 22,020 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 20V 1... |
1 | 126,932 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 30V 2... |
1 | 162,387 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V/2... |
1 | 963 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 30V 8... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 30V 8... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 30V 8... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V 4... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 60V 8... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Micro Commercial Components (MCC) | MOSFET N/P-CHANNE... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V/2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 20V M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 30V 2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 30V 8... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH DUA... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Micro Commercial Components (MCC) | MOSFET N/P-CHANNE... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
