FET、MOSFET 阵列 - 广鸿发科技

漏源电压（Vdss）：

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：

已选条件：

2 条记录

图片	型号	品牌	描述	起订量	库存	操作
	PMGD290XN,115	Nexperia	MOSFET 2N-CH 20V 0.8...	1	209,335	加入询价
	PMGD370XN,115	Nexperia	MOSFET 2N-CH 30V 0.7...	1	2,000	加入询价

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