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分立半导体产品
晶体管
FET,MOSFET
FET、MOSFET 阵列
配置:
2 N-通道(双)
(2)
N 和 P 沟道
(2)
漏源电压(Vdss):
20V
(2)
30V
(2)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
400mA
(1)
400mA,220mA
(1)
800mA
(1)
800mA,550mA
(1)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
1.4 欧姆 @ 350mA,4.5V
(2)
380 毫欧 @ 500mA,4.5V
(2)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
1.1V @ 250µA
(2)
950mV @ 250µA
(2)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
50pF @ 15V
(2)
83pF @ 10V
(2)
已选条件:
FET、MOSFET 阵列
供应商器件封装 : SOT-666
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) : 0.68nC @ 4.5V
功率 - 最大值 : 500mW
4 条记录
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型号
品牌
描述
起订量
库存
操作
PMDT290UNE,115
Nexperia
MOSFET 2N-CH 20V 0.8...
1
175,784
加入询价
NX3008CBKV,115
Nexperia
MOSFET N/P-CH 30V S...
1
69,965
加入询价
NX3008NBKV,115
Nexperia
MOSFET 2N-CH 30V 400...
1
4,000
加入询价
PMDT290UCE,115
Nexperia
MOSFET N/P-CH 20V S...
1
6,805
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PMDT290UNE,115
Nexperia
-
库存 : 175,784
询价
NX3008CBKV,115
Nexperia
-
库存 : 69,965
询价
NX3008NBKV,115
Nexperia
-
库存 : 4,000
询价
PMDT290UCE,115
Nexperia
-
库存 : 6,805
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