- 功率 - 最大值：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
-
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Microchip Technology | PM-MOSFET-SIC-SP1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | PM-MOSFET-SIC-SBD... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | PM-MOSFET-SIC-SP3... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | PM-MOSFET-SIC-BL3 |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | PM-MOSFET-SIC-BL3 |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | PM-MOSFET-SIC-SBD... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | PM-MOSFET-SIC-SBD... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | PM-MOSFET-SIC-SP6... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | PM-MOSFET-SIC-SBD... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
