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分立半导体产品
晶体管
FET,MOSFET
FET、MOSFET 阵列
功率 - 最大值:
265mW
(1)
285mW
(1)
380mW
(1)
漏源电压(Vdss):
20V
(2)
30V
(1)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
590mA
(1)
600mA
(2)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
620 毫欧 @ 600mA,4.5V
(2)
670 毫欧 @ 590mA,4.5V
(1)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
0.7nC @ 4.5V
(2)
1.05nC @ 4.5V
(1)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
21.3pF @ 10V
(2)
30.3pF @ 15V
(1)
FET 功能:
-
(2)
逻辑电平门
(1)
已选条件:
FET、MOSFET 阵列
供应商器件封装 : DFN1010B-6
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) : 950mV @ 250µA
配置 : 2 N-通道(双)
3 条记录
图片
型号
品牌
描述
起订量
库存
操作
PMDXB600UNELZ
Nexperia
20 V, DUAL N-CHANNE...
1
25,212
加入询价
PMDXB550UNEZ
Nexperia
MOSFET 2N-CH 30V 0.5...
1
57,858
加入询价
PMDXB600UNEZ
Nexperia
MOSFET 2N-CH 20V 0.6...
1
52,720
加入询价
PMDXB600UNELZ
Nexperia
-
库存 : 25,212
询价
PMDXB550UNEZ
Nexperia
-
库存 : 57,858
询价
PMDXB600UNEZ
Nexperia
-
库存 : 52,720
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