- 品牌:
-
- 安装类型:
-
- 供应商器件封装:
-
- 功率 - 最大值:
-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
-
- FET 功能:
-
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 40V 20... |
1 | 28,954 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | MOSFET 2N-CH 40V 60A... |
1 | 1,814 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 40V 20A... |
1 | 4,978 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | IAUC60N04S6N031HATM... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | IAUC45N04S6N070HATM... |
1 | 439 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 40V 20A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 40V 20A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | IAUC60N04S6L045HATM... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | TRENCH <= 40V |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 40V 20A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 40V 20A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | IAUC45N04S6L063HATM... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | MOSFET 2N-CH 40V 40A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | IAUC60N04S6N050HATM... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | TRENCH <= 40V |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 40V 20A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | IAUC60N04S6L030HATM... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 31V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 31V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 |