- 工作温度:
-
- 供应商器件封装:
-
- 功率 - 最大值:
-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
-
4 条记录
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET 2N-CH 30V 4A... |
1 | 141,567 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | SMALL LOW RON DUA... |
1 | 6,177 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | SMALL SIGNAL MOS... |
1 | 17,821 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | SMALL LOW RON DUA... |
1 | 15 | 加入询价 |