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晶体管
FET,MOSFET
FET、MOSFET 阵列
漏源电压(Vdss):
200V
(1)
500V
(1)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
208A
(1)
99A
(1)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
10 毫欧 @ 104A,10V
(1)
39 毫欧 @ 49.5A,10V
(1)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
14000pF @ 25V
(1)
14400pF @ 25V
(1)
已选条件:
FET、MOSFET 阵列
封装/外壳 : SP6
配置 : 2 N 沟道(双)非对称型
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) : 280nC @ 10V
2 条记录
图片
型号
品牌
描述
起订量
库存
操作
APTM20DHM08G
Microsemi
MOSFET 2N-CH 200V 20...
1
2,000
加入询价
APTM50DHM35G
Microsemi
MOSFET 2N-CH 500V 99...
1
2,000
加入询价
APTM20DHM08G
Microsemi
-
库存 : 2,000
询价
APTM50DHM35G
Microsemi
-
库存 : 2,000
询价
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型号:
品牌:
封装:
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