封装/外壳:
功率 - 最大值:
漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
IPG20N06S2L50ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 55V 20A...
1 2,000 加入询价
IPG20N06S2L50AATMA1 Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 55V 20A...
1 2,000 加入询价
NVMFD5485NLWFT1G ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 60V 5.3...
1 2,000 加入询价
NVMFD5485NLT3G ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 60V 5.3...
1 2,000 加入询价
NVMFD5485NLWFT3G ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 60V 5.3...
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