供应商器件封装:
功率 - 最大值:
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
FET 功能:
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
G20N06D52 Goford Semiconductor
N60V,RD(MAX)<30M@10V,...
1 7,975 加入询价
SI4946BEY-T1-E3 Vishay / Siliconix
MOSFET 2N-CH 60V 6.5...
1 2,000 加入询价
SI4946BEY-T1-GE3 Vishay / Siliconix
MOSFET 2N-CH 60V 6.5...
1 2,000 加入询价
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