- 品牌:
-
- Texas Instruments (10)
- Diodes Incorporated (14)
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
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- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
-
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Texas Instruments | MOSFET 2N-CH 30V 20A... |
1 | 35,251 | 加入询价 | ||
Texas Instruments | MOSFET 2N-CH 30V 32A... |
1 | 9,488 | 加入询价 | ||
Texas Instruments | MOSFET 2N-CH 30V 25A... |
1 | 35,883 | 加入询价 | ||
Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V-... |
1 | 900 | 加入询价 | ||
Texas Instruments | MOSFET 2N-CH 30V 15A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Texas Instruments | MOSFET 2N-CH 30V 8L... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Texas Instruments | MOSFET 2N-CH 30V 40A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Texas Instruments | MOSFET 2N-CH 30V 25A |
1 | 982 | 加入询价 | ||
Texas Instruments | MOSFET 2N-CH 30V 40A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Texas Instruments | MOSFET 2N-CH 30V 8L... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V-... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V-... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V-... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V-... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V-... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V-... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V-... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V-... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V-... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Texas Instruments | MOSFET 2N-CH 30V 32A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |