- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 功率 - 最大值：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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15 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Vishay / Siliconix | MOSFET DL N-CH 30V... |
1 | 11,640 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | 30V NCH+NCH MIDDLE... |
1 | 16,827 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | 30V NCH+NCH MIDDLE... |
1 | 14,841 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | 30V NCH+NCH MIDDLE... |
1 | 41,583 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | 30V NCH+NCH MID PO... |
1 | 4,875 | 加入询价 | |
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Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | MOSFET N/P-CH 30V 8... |
1 | 5,364 | 加入询价 | |
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UMW | SOP-8 MOSFETS ROH... |
1 | 3,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-30V,-16A,RD(MAX)<14M... |
1 | 4,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | -30V PCH+PCH MIDDL... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | 30V NCH+NCH MIDDLE... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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YANGJIE | N-CH MOSFET 30V 7.7A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
