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分立半导体产品
晶体管
FET,MOSFET
FET、MOSFET 阵列
配置:
2 个 N 通道(半桥)
(1)
6 N-沟道(3 相桥)
(1)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
105A(Tj)
(1)
40A(Tj)
(1)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
14 毫欧 @ 100A,15V
(1)
42.6 毫欧 @ 30A,15V
(1)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
3.6V @ 11.5mA
(1)
3.6V @ 35mA
(1)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
118nC @ 15V
(1)
324nC @ 15V
(1)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
10300pF @ 800V
(1)
3400pF @ 800V
(1)
已选条件:
FET、MOSFET 阵列
工作温度 : -40°C ~ 150°C(TJ)
漏源电压(Vdss) : 1200V
功率 - 最大值 : 10mW
2 条记录
图片
型号
品牌
描述
起订量
库存
操作
CBB032M12FM3
Wolfspeed
32M,1200V, SIC MODUL...
1
2,000
加入询价
CBB021M12FM3
Wolfspeed
21M,1200V, SIC MODUL...
1
2,000
加入询价
CBB032M12FM3
Wolfspeed
-
库存 : 2,000
询价
CBB021M12FM3
Wolfspeed
-
库存 : 2,000
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