封装/外壳:
供应商器件封装:
漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
APTM10DHM09TG Microsemi
MOSFET 2N-CH 100V 13...
1 2,000 加入询价
APTM20DHM16TG Microsemi
MOSFET 2N-CH 200V 10...
1 2,000 加入询价
APTM50DHM65TG Microsemi
MOSFET 2N-CH 500V 51...
1 2,000 加入询价
APTM10DHM09T3G Microsemi
MOSFET 2N-CH 100V 13...
1 2,000 加入询价
APTM20DHM16T3G Microsemi
MOSFET 2N-CH 200V 10...
1 2,000 加入询价
APTM50DHM65T3G Microsemi
MOSFET 2N-CH 500V 51...
1 2,000 加入询价
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