功率 - 最大值:
漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
FET 功能:
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APTC60AM45T1G Microchip Technology
MOSFET 2N-CH 600V 49...
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MOSFET 2N-CH 600V 49...
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APTC60AM45B1G Microchip Technology
MOSFET 3N-CH 600V 49...
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APTC60AM45BC1G Microchip Technology
MOSFET 3N-CH 600V 49...
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MOSFET 4N-CH 600V 49...
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APTM100H80FT1G Microsemi
MOSFET 4N-CH 1000V 1...
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MOSFET 2N-CH 600V 49...
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APTC60DDAM45CT1G Microsemi
MOSFET 2N-CH 600V 49...
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