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分立半导体产品
晶体管
FET,MOSFET
FET、MOSFET 阵列
配置:
2 N 沟道(相角)
(1)
2 个 N 通道(半桥)
(1)
4 N 沟道(半桥)
(1)
功率 - 最大值:
250W
(1)
416W
(1)
462W
(1)
漏源电压(Vdss):
600V
(1)
900V
(2)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
30A
(1)
59A
(1)
66A
(1)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
120 毫欧 @ 26A,10V
(1)
42 毫欧 @ 33A,10V
(1)
60 毫欧 @ 52A,10V
(1)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
3.5V @ 3mA
(1)
3.5V @ 6mA
(1)
5V @ 6mA
(1)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
270nC @ 10V
(1)
510nC @ 10V
(1)
540nC @ 10V
(1)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
13600pF @ 100V
(1)
14600pF @ 25V
(1)
6800pF @ 100V
(1)
已选条件:
FET、MOSFET 阵列
技术 : MOSFET(金属氧化物)
供应商器件封装 : SP2
3 条记录
图片
型号
品牌
描述
起订量
库存
操作
APTC90H12T2G
Microsemi
MOSFET 4N-CH 900V 30...
1
2,000
加入询价
APTC60AM42F2G
Microsemi
MOSFET 2N-CH 600V 66...
1
2,000
加入询价
APTC90AM602G
Microsemi
MOSFET 2N-CH 900V 59...
1
2,000
加入询价
APTC90H12T2G
Microsemi
-
库存 : 2,000
询价
APTC60AM42F2G
Microsemi
-
库存 : 2,000
询价
APTC90AM602G
Microsemi
-
库存 : 2,000
询价
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