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晶体管
FET,MOSFET
FET、MOSFET 阵列
封装/外壳:
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
(1)
SOT-563,SOT-666
(1)
供应商器件封装:
SOT-363
(1)
SOT-563
(1)
功率 - 最大值:
300mW(Ta)
(1)
350mW(Ta)
(1)
漏源电压(Vdss):
50V
(1)
50V,60V
(1)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
360mA(Ta),200mA(Ta)
(1)
400mA(Ta),250mA(Ta)
(1)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
1.5 欧姆 @ 500mA,10V,4 欧姆 @ 500mA,10V
(1)
1.5 欧姆 @ 500mA,10V,6 欧姆 @ 500mA,10V
(1)
已选条件:
FET、MOSFET 阵列
技术 : MOSFET(金属氧化物)
配置 : N 和 P 沟道互补型
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) : 0.95nC @ 4.5V,1.1nC @ 4.5V
2 条记录
图片
型号
品牌
描述
起订量
库存
操作
PJT7603_R1_00001
PANJIT
COMPLEMENTARY EN...
1
7,027
加入询价
PJX8603_R1_00001
PANJIT
COMPLEMENTARY EN...
1
11,650
加入询价
PJT7603_R1_00001
PANJIT
-
库存 : 7,027
询价
PJX8603_R1_00001
PANJIT
-
库存 : 11,650
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