供应商器件封装:
功率 - 最大值:
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
FET 功能:
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
EM6J1T2R ROHM Semiconductor
MOSFET 2P-CH 20V 0.2...
1 836 加入询价
SIB911DK-T1-E3 Vishay / Siliconix
MOSFET 2P-CH 20V 2.6...
1 2,000 加入询价
SIB911DK-T1-GE3 Vishay / Siliconix
MOSFET 2P-CH 20V 2.6...
1 2,000 加入询价
SMMB911DK-T1-GE3 Vishay / Siliconix
MOSFET 2P-CH 20V 2.6...
1 2,000 加入询价
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