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分立半导体产品
晶体管
FET,MOSFET
FET、MOSFET 阵列
漏源电压(Vdss):
20V
(2)
60V
(1)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
250mA(Ta)
(1)
500mA(Ta)
(1)
700mA(Ta)
(1)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
1.2 毫欧 @ 500mA,4.5V
(1)
325 毫欧 @ 700mA,4.5V
(1)
4 欧姆 @ 500mA,10V
(1)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
1V @ 250µA
(2)
2.5V @ 250µA
(1)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
1.1nC @ 4.5V
(1)
1.4nC @ 4.5V
(1)
2.2nC @ 4.5V
(1)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
165pF @ 10V
(1)
38pF @ 10V
(1)
51pF @ 25V
(1)
已选条件:
FET、MOSFET 阵列
配置 : 2 个 P 沟道(双)
功率 - 最大值 : 350mW(Ta)
3 条记录
图片
型号
品牌
描述
起订量
库存
操作
PJT7839_R1_00001
PANJIT
60V P-CHANNEL ENHA...
1
5,535
加入询价
PJT7801_R1_00001
PANJIT
20V P-CHANNEL ENHA...
1
5,830
加入询价
PJT7807_R1_00001
PANJIT
20V P-CHANNEL ENHA...
1
2,000
加入询价
PJT7839_R1_00001
PANJIT
-
库存 : 5,535
询价
PJT7801_R1_00001
PANJIT
-
库存 : 5,830
询价
PJT7807_R1_00001
PANJIT
-
库存 : 2,000
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