- 品牌：
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- Diodes Incorporated (13)
- ON Semiconductor (12)
- 供应商器件封装：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- FET 功能：
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32 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 60V 295... |
1 | 52,823 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 20V 540... |
1 | 857,165 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 0.4... |
1 | 160,889 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 60V 295... |
1 | 8,342 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 60V 0.2... |
1 | 17,565 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 50V 0.2... |
1 | 3,965 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 20V 0.5... |
1 | 1,361 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 0.1... |
1 | 2,914 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 0.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET 2N-CH 60V 0.3... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET 2 N-CHANNE... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 0.3... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 60V 294... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 60V 280... |
1 | 1,200 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 0.3... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 60V 280... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 50V 0.2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 50V 0.3... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 0.4... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET 2N-CH 60V 0.3... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
