- 品牌：
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- Nexperia (2)
- 封装/外壳：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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19 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 60V 0.3... |
1 | 112,045 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 0.8... |
1 | 139,546 | 加入询价 | |
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Nexperia | MOSFET 2N-CH 20V 0.8... |
1 | 175,784 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 0.9... |
1 | 35,071 | 加入询价 | |
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Nexperia | MOSFET 2N-CH 30V 400... |
1 | 4,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET 2 N-CHANNE... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 60V 0.3... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 1.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 0.9... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 2.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 2.3... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 0.8... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 2.1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 2.3... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 2.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 2.1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 1.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 2 N-CH 20V 2.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 2.3... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
