- 品牌：
-
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- 工作温度：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 配置：
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- 功率 - 最大值：
-
- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
-
- 已选条件：
4,894 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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EPC | GANFET TRANS SYM... |
1 | 94,255 | 加入询价 | |
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EPC | GAN TRANS SYMMET... |
1 | 2,192 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET 2N-CH 1200V 3... |
1 | 69 | 加入询价 | |
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|
ROHM Semiconductor | HALF BRIDGE MODU... |
1 | 44 | 加入询价 | |
|
|
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET 2N-CH 60V 0.3... |
1 | 678,964 | 加入询价 | |
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|
ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 60V 295... |
1 | 52,823 | 加入询价 | |
|
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | SMALL-SIGNAL MOS... |
1 | 9,706 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET 2 N-CHANNE... |
1 | 57,536 | 加入询价 | |
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Micro Commercial Components (MCC) | MOSFET 2N-CH 60V 0.1... |
1 | 191,970 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 20V S... |
1 | 134,845 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 20V S... |
1 | 1,290,942 | 加入询价 | |
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Nexperia | MOSFET 2N-CH 60V 0.3... |
1 | 309,265 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET 2N-CH 50V 0.2... |
1 | 252,568 | 加入询价 | |
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Nexperia | MOSFET 2N-CH 60V 0.3... |
1 | 134,840 | 加入询价 | |
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Nexperia | MOSFET 2P-CH 50V 0.1... |
1 | 5,990 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N/P-CH 20V 0... |
1 | 49,240 | 加入询价 | |
|
|
ROHM Semiconductor | MOSFET 2N-CH 50V 0.2... |
1 | 480,008 | 加入询价 | |
|
|
Nexperia | MOSFET 2N-CH 60V 0.3... |
1 | 475,672 | 加入询价 | |
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Nexperia | MOSFET 2N-CH 30V 0.3... |
1 | 200,714 | 加入询价 | |
|
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 60V 0.3... |
1 | 112,045 | 加入询价 |
